HiSilicon Kirin 935 vs HiSilicon Kirin 960

Der HiSilicon Kirin 935 und der HiSilicon Kirin 960 sind zwei Prozessoren, die in modernen Smartphones und Tablets weit verbreitet sind. Diese Prozessoren haben ihre eigenen einzigartigen Spezifikationen und Merkmale, die sie für verschiedene Gerätetypen und Nutzungsszenarien geeignet machen.

Was die CPU-Kerne und die Architektur angeht, so haben beide Prozessoren 8 Kerne und verwenden den ARMv8-A-Befehlssatz. Allerdings gibt es einige Unterschiede in der spezifischen Architektur und den Taktfrequenzen der Kerne.

Der Kirin 935 hat 4x 2,2 GHz Cortex-A53 Kerne und 4x 1,5 GHz Cortex-A53 Kerne. Der Kirin 960 hingegen verfügt über 4x 2,4 GHz Cortex-A73 Kerne und 4x 1,8 GHz Cortex-A53 Kerne. Dieser Unterschied in den Taktraten bedeutet, dass der Kirin 960 im Vergleich zum Kirin 935 eine bessere Leistung und schnelleres Multitasking bieten soll.

Ein weiterer wichtiger Aspekt ist die Lithografie, die sich auf die Größe der Transistoren des Prozessors bezieht. Der Kirin 935 hat eine Lithographie von 28 nm, während der Kirin 960 eine kleinere Lithographie von 16 nm hat. Eine kleinere Lithografie führt im Allgemeinen zu einer besseren Energieeffizienz und einer höheren Leistung.

Auch die Anzahl der Transistoren ist bei diesen beiden Prozessoren unterschiedlich. Der Kirin 935 hat 1000 Millionen Transistoren, während der Kirin 960 über 4000 Millionen Transistoren verfügt. Dies deutet darauf hin, dass der Kirin 960 fortschrittlicher ist und im Vergleich zum Kirin 935 komplexere Aufgaben bewältigen kann.

Schließlich hat der Kirin 935 eine TDP (Thermal Design Power) von 7 Watt, während der Kirin 960 eine niedrigere TDP von 5 Watt hat. Ein niedrigerer TDP bedeutet, dass der Kirin 960 energieeffizienter ist und weniger Wärme erzeugt, was sich positiv auf die Langlebigkeit des Geräts und die Akkulaufzeit auswirkt.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass der HiSilicon Kirin 935 und der HiSilicon Kirin 960 beides fähige Prozessoren sind, aber der Kirin 960 bietet aufgrund seiner höheren Taktraten, kleineren Lithographie, mehr Transistoren und niedrigeren TDP eine bessere Leistung, Energieeffizienz und erweiterte Möglichkeiten.