HiSilicon Kirin 710F vs HiSilicon Kirin 950

Der HiSilicon Kirin 710F und der HiSilicon Kirin 950 sind zwei Prozessoren mit unterschiedlichen Spezifikationen.

Beginnen wir mit dem HiSilicon Kirin 710F, der in 12-nm-Lithografie gefertigt wird und aus 8 Kernen besteht. Die Prozessorarchitektur umfasst 4x 2,2 GHz Cortex-A73 Kerne und 4x 1,7 GHz Cortex-A53 Kerne. Der HiSilicon Kirin 710F verfügt über einen ARMv8-A Befehlssatz und hat insgesamt 5500 Millionen Transistoren. Die TDP (Thermal Design Power) beträgt 5 Watt.

Der HiSilicon Kirin 950 hingegen verfügt über eine 16-nm-Lithografie und umfasst ebenfalls 8 Kerne. Seine Architektur umfasst 4x 2,4 GHz Cortex-A72 Kerne und 4x 1,8 GHz Cortex-A53 Kerne. Ähnlich wie der Kirin 710F verwendet er den ARMv8-A Befehlssatz. Allerdings hat der Kirin 950 im Vergleich zum Kirin 710F eine geringere Anzahl an Transistoren, nämlich insgesamt 2000 Millionen. Die TDP bleibt mit 5 Watt für diesen Prozessor gleich.

Was die Spezifikationen der Prozessoren betrifft, so ist es offensichtlich, dass der Kirin 710F mit einer kleineren Nanometer-Lithographie arbeitet, was im Allgemeinen zu einer verbesserten Energieeffizienz und einer höheren Leistung führt. Außerdem bietet der Kirin 710F eine höhere Anzahl von Transistoren, was auf ein komplexeres Design hindeutet. Allerdings übertrifft das Kirin 950 das Kirin 710F in Bezug auf die maximale Taktfrequenz, da es schnellere Cortex-A72-Kerne hat, die mit 2,4 GHz getaktet sind, im Gegensatz zu den 2,2 GHz Cortex-A73-Kernen des Kirin 710F.

Insgesamt verfügen beide Prozessoren über 8 Kerne und den ARMv8-A-Befehlssatz. Die Unterschiede liegen jedoch in der Lithografie, der Anzahl der Transistoren und den Taktfrequenzen der jeweiligen Kernarchitekturen. Für Verbraucher ist es wichtig, diese Spezifikationen bei der Wahl eines Prozessors zu berücksichtigen, da sie die Leistung und Effizienz der Geräte, die sie antreiben, erheblich beeinflussen können.