HiSilicon Kirin 710 vs HiSilicon Kirin 935
Der HiSilicon Kirin 710 und der HiSilicon Kirin 935 sind zwei von HiSilicon, einer Tochtergesellschaft von Huawei Technologies, entwickelte Prozessoren. Obwohl beide zur Kirin-Serie gehören, unterscheiden sie sich in Bezug auf ihre Spezifikationen und Leistung.
Angefangen beim HiSilicon Kirin 710, der eine Architektur mit 4x 2,2 GHz Cortex-A73-Kernen und 4x 1,7 GHz Cortex-A53-Kernen aufweist. Mit insgesamt 8 Kernen bietet er eine ausgewogene Kombination aus Leistung und Effizienz. Der Prozessor basiert auf einer 12-nm-Lithographie, die eine verbesserte Energieeffizienz und Leistung ermöglicht. Er verfügt über 5.500 Millionen Transistoren, was auf ein hohes Maß an Integration auf dem Chip hinweist. Die TDP (Thermal Design Power) des Kirin 710 liegt bei 5 Watt, was darauf schließen lässt, dass er weniger Strom verbraucht und weniger Wärme produziert.
Der HiSilicon Kirin 935 hingegen verfügt über eine Architektur mit 4x 2,2 GHz Cortex-A53 Kernen und 4x 1,5 GHz Cortex-A53 Kernen. Wie der Kirin 710 bietet er 8 Kerne für Multitasking-Fähigkeiten. Der Kirin 935 basiert jedoch auf einer 28-nm-Lithografie, die im Vergleich zum Kirin 710 weniger fortschrittlich ist. Dies führt zu einer etwas geringeren Energieeffizienz und Leistung. Es hat 1.000 Millionen Transistoren, was auf eine geringere Integration im Vergleich zum Kirin 710 hinweist. Die TDP des Kirin 935 beträgt 7 Watt, was bedeutet, dass er im Vergleich zum Kirin 710 etwas mehr Strom verbraucht und mehr Wärme erzeugt.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass sich der HiSilicon Kirin 710 und der HiSilicon Kirin 935 in Bezug auf die Lithografie, die Anzahl der Transistoren und den TDP unterscheiden. Der Kirin 710 bietet eine fortschrittlichere 12-nm-Lithografie, eine höhere Transistoranzahl und einen geringeren Stromverbrauch im Vergleich zum Kirin 935 mit seiner 28-nm-Lithografie, einer geringeren Transistoranzahl und einem etwas höheren Stromverbrauch. Diese Unterschiede deuten darauf hin, dass der Kirin 710 im Vergleich zum Kirin 935 in realen Anwendungen eine bessere Leistung und Energieeffizienz bieten könnte.
Angefangen beim HiSilicon Kirin 710, der eine Architektur mit 4x 2,2 GHz Cortex-A73-Kernen und 4x 1,7 GHz Cortex-A53-Kernen aufweist. Mit insgesamt 8 Kernen bietet er eine ausgewogene Kombination aus Leistung und Effizienz. Der Prozessor basiert auf einer 12-nm-Lithographie, die eine verbesserte Energieeffizienz und Leistung ermöglicht. Er verfügt über 5.500 Millionen Transistoren, was auf ein hohes Maß an Integration auf dem Chip hinweist. Die TDP (Thermal Design Power) des Kirin 710 liegt bei 5 Watt, was darauf schließen lässt, dass er weniger Strom verbraucht und weniger Wärme produziert.
Der HiSilicon Kirin 935 hingegen verfügt über eine Architektur mit 4x 2,2 GHz Cortex-A53 Kernen und 4x 1,5 GHz Cortex-A53 Kernen. Wie der Kirin 710 bietet er 8 Kerne für Multitasking-Fähigkeiten. Der Kirin 935 basiert jedoch auf einer 28-nm-Lithografie, die im Vergleich zum Kirin 710 weniger fortschrittlich ist. Dies führt zu einer etwas geringeren Energieeffizienz und Leistung. Es hat 1.000 Millionen Transistoren, was auf eine geringere Integration im Vergleich zum Kirin 710 hinweist. Die TDP des Kirin 935 beträgt 7 Watt, was bedeutet, dass er im Vergleich zum Kirin 710 etwas mehr Strom verbraucht und mehr Wärme erzeugt.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass sich der HiSilicon Kirin 710 und der HiSilicon Kirin 935 in Bezug auf die Lithografie, die Anzahl der Transistoren und den TDP unterscheiden. Der Kirin 710 bietet eine fortschrittlichere 12-nm-Lithografie, eine höhere Transistoranzahl und einen geringeren Stromverbrauch im Vergleich zum Kirin 935 mit seiner 28-nm-Lithografie, einer geringeren Transistoranzahl und einem etwas höheren Stromverbrauch. Diese Unterschiede deuten darauf hin, dass der Kirin 710 im Vergleich zum Kirin 935 in realen Anwendungen eine bessere Leistung und Energieeffizienz bieten könnte.
Prozessor Kerne und Architektur
Architektur | 4x 2.2 GHz – Cortex-A73 4x 1.7 GHz – Cortex-A53 |
4x 2.2 GHz – Cortex-A53 4x 1.5 GHz – Cortex-A53 |
Zahl der Kerne | 8 | 8 |
Befehlssatz | ARMv8-A | ARMv8-A |
Lithographie | 12 nm | 28 nm |
Anzahl der Transistoren | 5500 million | 1000 million |
TDP | 5 Watt | 7 Watt |
Arbeitsspeicher (RAM)
Maximaler Speicher | bis zu 6 GB | bis zu 8 GB |
Speichertyp | LPDDR4 | LPDDR3 |
Speicherfrequenz | 1866 MHz | 800 MHz |
Speicherbus | 2x32 bit | 2x32 bit |
Speicher
Speichertechnologie | UFS 2.1 | UFS 2.0 |
Grafik
GPU name | Mali-G51 MP4 | Mali-T628 MP4 |
GPU-Architektur | Bifrost | Midgard |
GPU-Taktfrequenz | 650 MHz | 680 MHz |
GPU-Boost-Taktfrequenz | 1000 MHz | |
Ausführung Einheiten | 4 | 4 |
Shader | 64 | 64 |
DirectX | 12 | 11 |
OpenCL API | 2.0 | 1.2 |
Vulkan API | 1.0 | 1.0 |
Kamera, Video, Display
Max. Bildschirmauflösung | 2340x1080 | 2560x1600 |
Max. Kameraauflösung | 1x 40MP, 2x 24MP | 1x 20MP |
Max. Videoaufnahme | 4K@30fps | |
Video-Codec-Unterstützung | H.264 (AVC) H.265 (HEVC) VP8 VP9 |
H.264 (AVC) H.265 (HEVC) VP8 |
Wireless
4G-Netz | Ja | Ja |
5G-Netz | Ja | Ja |
Spitzen-Download-Geschwindigkeit | 0.6 Gbps | 0.3 Gbps |
Spitzen-Upload-Geschwindigkeit | 0.15 Gbps | 0.05 Gbps |
Wi-Fi | 4 (802.11n) | 5 (802.11ac) |
Bluetooth | 4.2 | 4.2 |
Satellitennavigation | BeiDou GPS GLONASS |
BeiDou GPS Galileo GLONASS |
Ergänzende Informationen
Datum der Einführung | 2018 Quartal 3 | 2015 Quartal 2 |
Teilenummer | Hi6260 | Hi3635 |
Vertikales Segment | Mobiles | Mobiles |
Positionierung | Mid-end | Mid-end |
AnTuTu 10
Gesamtpunktzahl
GeekBench 6 Einzelkern
Punktzahl
GeekBench 6 Mehrkern
Punktzahl
Beliebte Vergleiche:
1
Qualcomm Snapdragon 730 vs Samsung Exynos 9810
2
Qualcomm Snapdragon 632 vs Qualcomm Snapdragon 685
3
MediaTek Dimensity 1000L vs Qualcomm Snapdragon 460
4
Apple A10X Fusion vs Qualcomm Snapdragon 865
5
MediaTek Helio G37 vs MediaTek Helio P35
6
HiSilicon Kirin 960 vs Unisoc Tiger T612
7
MediaTek Helio G85 vs Qualcomm Snapdragon 680
8
Samsung Exynos 9820 vs MediaTek Dimensity 1100
9
MediaTek Helio G36 vs Samsung Exynos 9825
10
MediaTek Dimensity 7050 vs Samsung Exynos 990