HiSilicon Kirin 710 vs HiSilicon Kirin 930
Der HiSilicon Kirin 710 und der HiSilicon Kirin 930 sind zwei Prozessoren, die unterschiedliche Spezifikationen und Leistungsunterschiede aufweisen. Vergleichen wir sie anhand ihrer Spezifikationen.
Beginnend mit den CPU-Kernen und der Architektur, hat der Kirin 710 eine Architektur von 4x 2,2 GHz Cortex-A73 und 4x 1,7 GHz Cortex-A53. Der Kirin 930 hingegen verfügt über eine etwas niedrigere Architektur von 4x 2 GHz Cortex-A53 und 4x 1,5 GHz Cortex-A53. Dies deutet darauf hin, dass der Kirin 710 eine höhere Taktrate für seine führenden Kerne hat, was auf eine bessere Leistung für anspruchsvolle Aufgaben schließen lässt.
Beide Prozessoren haben 8 Kerne und unterstützen den ARMv8-A-Befehlssatz. Es gibt jedoch einen bemerkenswerten Unterschied in Bezug auf die Lithographie. Der Kirin 710 wurde mit einer fortschrittlicheren 12nm-Lithografie entwickelt, während der Kirin 930 eine 28nm-Lithografie verwendet. Eine kleinere Lithografie bedeutet im Allgemeinen eine höhere Energieeffizienz und potenziell bessere Leistung.
Bei der Anzahl der Transistoren sticht der Kirin 710 mit 5500 Millionen Transistoren hervor, während der Kirin 930 nur 1000 Millionen Transistoren hat. Dies deutet darauf hin, dass der Kirin 710 eine komplexere und dichter gepackte Architektur hat, was zu einer besseren Leistung und Effizienz führen kann.
Beide Prozessoren haben eine Thermal Design Power (TDP) von 5 Watt. Das bedeutet, dass sie die gleiche Menge an Strom verbrauchen, was zu einer ähnlichen Energieeffizienz führt.
Unter Berücksichtigung all dieser Spezifikationen ist es offensichtlich, dass der HiSilicon Kirin 710 den Kirin 930 in Bezug auf Taktrate, Lithographie und Transistoranzahl übertrifft. Die fortschrittlichere Technologie und die höhere Taktrate des Kirin 710 sollten zu einer verbesserten Leistung und Energieeffizienz führen.
Es ist jedoch wichtig zu wissen, dass die Spezifikationen allein kein vollständiges Bild der Leistung eines Prozessors vermitteln. Die Leistung in der realen Welt kann auch durch verschiedene Faktoren beeinflusst werden, z. B. durch die Optimierung der Software und das allgemeine Systemdesign.
Beginnend mit den CPU-Kernen und der Architektur, hat der Kirin 710 eine Architektur von 4x 2,2 GHz Cortex-A73 und 4x 1,7 GHz Cortex-A53. Der Kirin 930 hingegen verfügt über eine etwas niedrigere Architektur von 4x 2 GHz Cortex-A53 und 4x 1,5 GHz Cortex-A53. Dies deutet darauf hin, dass der Kirin 710 eine höhere Taktrate für seine führenden Kerne hat, was auf eine bessere Leistung für anspruchsvolle Aufgaben schließen lässt.
Beide Prozessoren haben 8 Kerne und unterstützen den ARMv8-A-Befehlssatz. Es gibt jedoch einen bemerkenswerten Unterschied in Bezug auf die Lithographie. Der Kirin 710 wurde mit einer fortschrittlicheren 12nm-Lithografie entwickelt, während der Kirin 930 eine 28nm-Lithografie verwendet. Eine kleinere Lithografie bedeutet im Allgemeinen eine höhere Energieeffizienz und potenziell bessere Leistung.
Bei der Anzahl der Transistoren sticht der Kirin 710 mit 5500 Millionen Transistoren hervor, während der Kirin 930 nur 1000 Millionen Transistoren hat. Dies deutet darauf hin, dass der Kirin 710 eine komplexere und dichter gepackte Architektur hat, was zu einer besseren Leistung und Effizienz führen kann.
Beide Prozessoren haben eine Thermal Design Power (TDP) von 5 Watt. Das bedeutet, dass sie die gleiche Menge an Strom verbrauchen, was zu einer ähnlichen Energieeffizienz führt.
Unter Berücksichtigung all dieser Spezifikationen ist es offensichtlich, dass der HiSilicon Kirin 710 den Kirin 930 in Bezug auf Taktrate, Lithographie und Transistoranzahl übertrifft. Die fortschrittlichere Technologie und die höhere Taktrate des Kirin 710 sollten zu einer verbesserten Leistung und Energieeffizienz führen.
Es ist jedoch wichtig zu wissen, dass die Spezifikationen allein kein vollständiges Bild der Leistung eines Prozessors vermitteln. Die Leistung in der realen Welt kann auch durch verschiedene Faktoren beeinflusst werden, z. B. durch die Optimierung der Software und das allgemeine Systemdesign.
Prozessor Kerne und Architektur
Architektur | 4x 2.2 GHz – Cortex-A73 4x 1.7 GHz – Cortex-A53 |
4x 2 GHz – Cortex-A53 4x 1.5 GHz – Cortex-A53 |
Zahl der Kerne | 8 | 8 |
Befehlssatz | ARMv8-A | ARMv8-A |
Lithographie | 12 nm | 28 nm |
Anzahl der Transistoren | 5500 million | 1000 million |
TDP | 5 Watt | 5 Watt |
Arbeitsspeicher (RAM)
Maximaler Speicher | bis zu 6 GB | bis zu 6 GB |
Speichertyp | LPDDR4 | LPDDR3 |
Speicherfrequenz | 1866 MHz | 800 MHz |
Speicherbus | 2x32 bit | 2x32 bit |
Speicher
Speichertechnologie | UFS 2.1 | UFS 2.0 |
Grafik
GPU name | Mali-G51 MP4 | Mali-T628 MP4 |
GPU-Architektur | Bifrost | Midgard |
GPU-Taktfrequenz | 650 MHz | 600 MHz |
GPU-Boost-Taktfrequenz | 1000 MHz | |
Ausführung Einheiten | 4 | 4 |
Shader | 64 | 64 |
DirectX | 12 | 11 |
OpenCL API | 2.0 | 1.2 |
Vulkan API | 1.0 | 1.0 |
Kamera, Video, Display
Max. Bildschirmauflösung | 2340x1080 | 2560x1600 |
Max. Kameraauflösung | 1x 40MP, 2x 24MP | 1x 20MP |
Max. Videoaufnahme | 4K@30fps | |
Video-Codec-Unterstützung | H.264 (AVC) H.265 (HEVC) VP8 VP9 |
H.264 (AVC) H.265 (HEVC) VP8 |
Wireless
4G-Netz | Ja | Ja |
5G-Netz | Ja | Ja |
Spitzen-Download-Geschwindigkeit | 0.6 Gbps | 0.3 Gbps |
Spitzen-Upload-Geschwindigkeit | 0.15 Gbps | 0.05 Gbps |
Wi-Fi | 4 (802.11n) | 5 (802.11ac) |
Bluetooth | 4.2 | 4.2 |
Satellitennavigation | BeiDou GPS GLONASS |
BeiDou GPS Galileo GLONASS |
Ergänzende Informationen
Datum der Einführung | 2018 Quartal 3 | 2015 Quartal 2 |
Teilenummer | Hi6260 | Hi3630 |
Vertikales Segment | Mobiles | Mobiles |
Positionierung | Mid-end | Mid-end |
AnTuTu 10
Gesamtpunktzahl
GeekBench 6 Einzelkern
Punktzahl
GeekBench 6 Mehrkern
Punktzahl
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