HiSilicon Kirin 710A vs HiSilicon Kirin 935
Der HiSilicon Kirin 710A und der HiSilicon Kirin 935 sind zwei Prozessoren, die von der Halbleiter-Tochtergesellschaft von Huawei, HiSilicon, entwickelt wurden. Während beide Prozessoren mit 8 Kernen ausgestattet sind und den ARMv8-A-Befehlssatz verwenden, unterscheiden sie sich in Bezug auf ihre Architektur, Lithographie, Anzahl der Transistoren und TDP (Thermal Design Power).
Den Anfang macht der Kirin 710A mit einer Kombination aus 4x Cortex-A73-Kernen, die mit 2,0 GHz getaktet sind, und 4x Cortex-A53-Kernen, die mit 1,7 GHz getaktet sind. Diese Architektur ermöglicht ein ausgewogenes Verhältnis zwischen Leistung und Effizienz. Durch die Verwendung eines 14-nm-Lithografieprozesses ist sie aufgrund kleinerer und dichter gepackter Transistoren energieeffizienter. Mit insgesamt 5500 Millionen Transistoren bietet der Kirin 710A ein hohes Maß an Rechenleistung. Außerdem hat er einen TDP von 5 Watt, was auf einen geringeren Stromverbrauch hindeutet.
Die Architektur des Kirin 935 besteht aus 4x Cortex-A53 Kernen, die mit 2,2 GHz getaktet sind, und 4x Cortex-A53 Kernen, die mit 1,5 GHz getaktet sind. Obwohl er eine etwas höhere Taktrate hat, ist er durch den 28-nm-Lithographieprozess weniger effizient als der Kirin 710A. Auch die Anzahl der Transistoren ist mit 1000 Millionen deutlich geringer, was sich auf die Gesamtleistung auswirken kann. Darüber hinaus beträgt der TDP des Kirin 935 7 Watt, was auf einen höheren Stromverbrauch im Vergleich zum Kirin 710A hindeutet.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass der HiSilicon Kirin 710A im Vergleich zum HiSilicon Kirin 935 eine fortschrittlichere Architektur, einen kleineren Lithografieprozess, eine wesentlich höhere Anzahl von Transistoren und einen niedrigeren TDP aufweist. Diese Spezifikationen deuten darauf hin, dass der Kirin 710A wahrscheinlich eine bessere Leistung bei geringerem Stromverbrauch bieten wird. Es ist jedoch zu beachten, dass auch andere Faktoren, wie Software-Optimierung und zusätzliche Funktionen, die Gesamtleistung und das Nutzererlebnis der Prozessoren beeinflussen können.
Den Anfang macht der Kirin 710A mit einer Kombination aus 4x Cortex-A73-Kernen, die mit 2,0 GHz getaktet sind, und 4x Cortex-A53-Kernen, die mit 1,7 GHz getaktet sind. Diese Architektur ermöglicht ein ausgewogenes Verhältnis zwischen Leistung und Effizienz. Durch die Verwendung eines 14-nm-Lithografieprozesses ist sie aufgrund kleinerer und dichter gepackter Transistoren energieeffizienter. Mit insgesamt 5500 Millionen Transistoren bietet der Kirin 710A ein hohes Maß an Rechenleistung. Außerdem hat er einen TDP von 5 Watt, was auf einen geringeren Stromverbrauch hindeutet.
Die Architektur des Kirin 935 besteht aus 4x Cortex-A53 Kernen, die mit 2,2 GHz getaktet sind, und 4x Cortex-A53 Kernen, die mit 1,5 GHz getaktet sind. Obwohl er eine etwas höhere Taktrate hat, ist er durch den 28-nm-Lithographieprozess weniger effizient als der Kirin 710A. Auch die Anzahl der Transistoren ist mit 1000 Millionen deutlich geringer, was sich auf die Gesamtleistung auswirken kann. Darüber hinaus beträgt der TDP des Kirin 935 7 Watt, was auf einen höheren Stromverbrauch im Vergleich zum Kirin 710A hindeutet.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass der HiSilicon Kirin 710A im Vergleich zum HiSilicon Kirin 935 eine fortschrittlichere Architektur, einen kleineren Lithografieprozess, eine wesentlich höhere Anzahl von Transistoren und einen niedrigeren TDP aufweist. Diese Spezifikationen deuten darauf hin, dass der Kirin 710A wahrscheinlich eine bessere Leistung bei geringerem Stromverbrauch bieten wird. Es ist jedoch zu beachten, dass auch andere Faktoren, wie Software-Optimierung und zusätzliche Funktionen, die Gesamtleistung und das Nutzererlebnis der Prozessoren beeinflussen können.
Prozessor Kerne und Architektur
Architektur | 4x 2.0 GHz – Cortex-A73 4x 1.7 GHz – Cortex-A53 |
4x 2.2 GHz – Cortex-A53 4x 1.5 GHz – Cortex-A53 |
Zahl der Kerne | 8 | 8 |
Befehlssatz | ARMv8-A | ARMv8-A |
Lithographie | 14 nm | 28 nm |
Anzahl der Transistoren | 5500 million | 1000 million |
TDP | 5 Watt | 7 Watt |
Arbeitsspeicher (RAM)
Maximaler Speicher | bis zu 6 GB | bis zu 8 GB |
Speichertyp | LPDDR4 | LPDDR3 |
Speicherfrequenz | 1866 MHz | 800 MHz |
Speicherbus | 2x32 bit | 2x32 bit |
Speicher
Speichertechnologie | UFS 2.1 | UFS 2.0 |
Grafik
GPU name | Mali-G51 MP4 | Mali-T628 MP4 |
GPU-Architektur | Bifrost | Midgard |
GPU-Taktfrequenz | 650 MHz | 680 MHz |
GPU-Boost-Taktfrequenz | 1000 MHz | |
Ausführung Einheiten | 4 | 4 |
Shader | 64 | 64 |
DirectX | 12 | 11 |
OpenCL API | 2.0 | 1.2 |
Vulkan API | 1.0 | 1.0 |
Kamera, Video, Display
Max. Bildschirmauflösung | 2340x1080 | 2560x1600 |
Max. Kameraauflösung | 1x 48MP, 2x 24MP | 1x 20MP |
Max. Videoaufnahme | 4K@30fps | 4K@30fps |
Video-Codec-Unterstützung | H.264 (AVC) H.265 (HEVC) VP8 VP9 |
H.264 (AVC) H.265 (HEVC) VP8 |
Wireless
4G-Netz | Ja | Ja |
5G-Netz | Ja | Ja |
Spitzen-Download-Geschwindigkeit | 0.6 Gbps | 0.3 Gbps |
Spitzen-Upload-Geschwindigkeit | 0.15 Gbps | 0.05 Gbps |
Wi-Fi | 4 (802.11n) | 5 (802.11ac) |
Bluetooth | 5.1 | 4.2 |
Satellitennavigation | BeiDou GPS GLONASS |
BeiDou GPS Galileo GLONASS |
Ergänzende Informationen
Datum der Einführung | 2020 Quartal 4 | 2015 Quartal 2 |
Teilenummer | Hi6260 | Hi3635 |
Vertikales Segment | Mobiles | Mobiles |
Positionierung | Mid-end | Mid-end |
AnTuTu 10
Gesamtpunktzahl
GeekBench 6 Einzelkern
Punktzahl
GeekBench 6 Mehrkern
Punktzahl
Beliebte Vergleiche:
1
Qualcomm Snapdragon 865 vs Samsung Exynos 2100
2
Apple A15 Bionic vs MediaTek Helio G25
3
MediaTek Helio G70 vs Unisoc Tiger T606
4
Samsung Exynos 2200 vs Apple A10 Fusion
5
HiSilicon Kirin 985 5G vs Qualcomm Snapdragon 820
6
MediaTek Dimensity 800U vs HiSilicon Kirin 990 4G
7
MediaTek Dimensity 6080 vs Samsung Exynos 9609
8
Qualcomm Snapdragon 710 vs Qualcomm Snapdragon 855
9
Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 vs Qualcomm Snapdragon 7 Plus Gen 2
10
Samsung Exynos 9611 vs Samsung Exynos 7884B