HiSilicon Kirin 710 vs Unisoc SC9832E
Der HiSilicon Kirin 710 und der Unisoc SC9832E sind beides Prozessoren, die häufig in mobilen Geräten verwendet werden, aber sie haben unterschiedliche Spezifikationen, die einen Vergleich rechtfertigen.
Der HiSilicon Kirin 710 verfügt über eine fortschrittlichere Architektur mit 4x 2,2 GHz Cortex-A73-Kernen und 4x 1,7 GHz Cortex-A53-Kernen. Damit verfügt er über insgesamt acht Kerne, die verschiedene Aufgaben effizient bewältigen können. Im Gegensatz dazu hat der Unisoc SC9832E eine einfachere Architektur mit nur vier 1,4-GHz-Cortex-A53-Kernen. Das bedeutet, dass der HiSilicon Kirin 710 besser für intensive Prozesse und Multitasking gerüstet ist.
Was die Lithografie betrifft, so verwendet das HiSilicon Kirin 710 einen fortschrittlicheren 12-nm-Prozess, während das Unisoc SC9832E einen etwas älteren 28-nm-Prozess verwendet. Je kleiner der Prozess, desto mehr Transistoren passen auf die gleiche Fläche, was zu einer besseren Energieeffizienz und Leistung des HiSilicon Kirin 710 führt.
Apropos Transistoren: Das HiSilicon Kirin 710 verfügt über 5500 Millionen Transistoren, was auf ein höheres Maß an Integration und Verarbeitungsleistung schließen lässt. Im Vergleich dazu ist die Transistoranzahl des Unisoc SC9832E nicht spezifiziert, aber man kann davon ausgehen, dass sie niedriger ist als die des HiSilicon Kirin 710.
Was den Stromverbrauch betrifft, so hat der HiSilicon Kirin 710 eine niedrigere thermische Entwurfsleistung (TDP) von 5 Watt, was auf eine bessere Energieeffizienz hindeutet. Der Unisoc SC9832E hingegen hat eine etwas höhere TDP von 7 Watt.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass der HiSilicon Kirin 710 den Unisoc SC9832E in mehreren Schlüsselbereichen übertrifft. Seine Architektur verwendet eine Mischung aus leistungsfähigeren Kernen, er verfügt über einen fortschrittlicheren Lithografieprozess und mehr Transistoren, und er weist eine niedrigere TDP auf. Das bedeutet, dass der HiSilicon Kirin 710 im Vergleich zum Unisoc SC9832E wahrscheinlich eine bessere Leistung und Energieeffizienz bietet. Es ist jedoch wichtig, andere Faktoren wie das spezifische Gerät und seine Optimierung zu berücksichtigen, bevor man eine endgültige Schlussfolgerung zur Gesamtleistung zieht.
Der HiSilicon Kirin 710 verfügt über eine fortschrittlichere Architektur mit 4x 2,2 GHz Cortex-A73-Kernen und 4x 1,7 GHz Cortex-A53-Kernen. Damit verfügt er über insgesamt acht Kerne, die verschiedene Aufgaben effizient bewältigen können. Im Gegensatz dazu hat der Unisoc SC9832E eine einfachere Architektur mit nur vier 1,4-GHz-Cortex-A53-Kernen. Das bedeutet, dass der HiSilicon Kirin 710 besser für intensive Prozesse und Multitasking gerüstet ist.
Was die Lithografie betrifft, so verwendet das HiSilicon Kirin 710 einen fortschrittlicheren 12-nm-Prozess, während das Unisoc SC9832E einen etwas älteren 28-nm-Prozess verwendet. Je kleiner der Prozess, desto mehr Transistoren passen auf die gleiche Fläche, was zu einer besseren Energieeffizienz und Leistung des HiSilicon Kirin 710 führt.
Apropos Transistoren: Das HiSilicon Kirin 710 verfügt über 5500 Millionen Transistoren, was auf ein höheres Maß an Integration und Verarbeitungsleistung schließen lässt. Im Vergleich dazu ist die Transistoranzahl des Unisoc SC9832E nicht spezifiziert, aber man kann davon ausgehen, dass sie niedriger ist als die des HiSilicon Kirin 710.
Was den Stromverbrauch betrifft, so hat der HiSilicon Kirin 710 eine niedrigere thermische Entwurfsleistung (TDP) von 5 Watt, was auf eine bessere Energieeffizienz hindeutet. Der Unisoc SC9832E hingegen hat eine etwas höhere TDP von 7 Watt.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass der HiSilicon Kirin 710 den Unisoc SC9832E in mehreren Schlüsselbereichen übertrifft. Seine Architektur verwendet eine Mischung aus leistungsfähigeren Kernen, er verfügt über einen fortschrittlicheren Lithografieprozess und mehr Transistoren, und er weist eine niedrigere TDP auf. Das bedeutet, dass der HiSilicon Kirin 710 im Vergleich zum Unisoc SC9832E wahrscheinlich eine bessere Leistung und Energieeffizienz bietet. Es ist jedoch wichtig, andere Faktoren wie das spezifische Gerät und seine Optimierung zu berücksichtigen, bevor man eine endgültige Schlussfolgerung zur Gesamtleistung zieht.
Prozessor Kerne und Architektur
Architektur | 4x 2.2 GHz – Cortex-A73 4x 1.7 GHz – Cortex-A53 |
4x 1.4 GHz – Cortex-A53 |
Zahl der Kerne | 8 | 4 |
Befehlssatz | ARMv8-A | ARMv8-A |
Lithographie | 12 nm | 28 nm |
Anzahl der Transistoren | 5500 million | |
TDP | 5 Watt | 7 Watt |
Arbeitsspeicher (RAM)
Maximaler Speicher | bis zu 6 GB | bis zu 2 GB |
Speichertyp | LPDDR4 | LPDDR3 |
Speicherfrequenz | 1866 MHz | 667 MHz |
Speicherbus | 2x32 bit |
Speicher
Speichertechnologie | UFS 2.1 | eMMC 5.1 |
Grafik
GPU name | Mali-G51 MP4 | Mali-T820 MP1 |
GPU-Architektur | Bifrost | Midgard |
GPU-Taktfrequenz | 650 MHz | 680 MHz |
GPU-Boost-Taktfrequenz | 1000 MHz | |
Ausführung Einheiten | 4 | 1 |
Shader | 64 | 4 |
DirectX | 12 | 11 |
OpenCL API | 2.0 | 1.2 |
OpenGL API | ES 3.2 | |
Vulkan API | 1.0 | 1.0 |
Kamera, Video, Display
Max. Bildschirmauflösung | 2340x1080 | 1440x720 |
Max. Kameraauflösung | 1x 40MP, 2x 24MP | 1x 13MP |
Max. Videoaufnahme | FullHD@30fps | |
Video-Codec-Unterstützung | H.264 (AVC) H.265 (HEVC) VP8 VP9 |
H.264 (AVC) |
Wireless
4G-Netz | Ja | Ja |
5G-Netz | Ja | Ja |
Spitzen-Download-Geschwindigkeit | 0.6 Gbps | 0.15 Gbps |
Spitzen-Upload-Geschwindigkeit | 0.15 Gbps | 0.05 Gbps |
Wi-Fi | 4 (802.11n) | 4 (802.11n) |
Bluetooth | 4.2 | 4.2 |
Satellitennavigation | BeiDou GPS GLONASS |
BeiDou GPS GLONASS |
Ergänzende Informationen
Datum der Einführung | 2018 Quartal 3 | 2018 |
Teilenummer | Hi6260 | |
Vertikales Segment | Mobiles | Mobiles |
Positionierung | Mid-end | Low-end |
AnTuTu 10
Gesamtpunktzahl
GeekBench 6 Einzelkern
Punktzahl
GeekBench 6 Mehrkern
Punktzahl
Beliebte Vergleiche:
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2
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